Teknologi Pembuatan Silikon Karbida
Bentuk:Bentuk Benjolan/Bubuk
Bubuk Silikon Karbida Untuk Tahan Api
Deskripsi
Keterangan
Silikon karbida (SiC) merupakan material yang populer di dunia elektronik karena sifat kimia dan fisiknya yang unggul. Ini digunakan dalam pembuatan komponen elektronik seperti MOSFET, dioda, dan modul daya.
Pembuatan SiC merupakan proses kompleks yang memerlukan keahlian dan peralatan khusus. Metode yang paling umum digunakan untuk produksi SiC adalah proses Acheson, yang melibatkan pemanasan campuran kokas dan pasir dalam tungku tahan listrik. Reaksi tersebut menghasilkan pembentukan kristal SiC yang kemudian dihancurkan dan disortir berdasarkan ukuran dan kualitasnya.
Metode lain yang digunakan untuk pembuatan SiC adalah proses deposisi uap kimia (CVD). Metode ini melibatkan reaksi antara gas reaktif seperti silan (SiH4) dan metana (CH4) dalam ruang vakum. Reaksi tersebut menghasilkan lapisan SiC pada substrat seperti wafer silikon.
Spesifikasi
| Pola | Persentase komponen | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 70# | 65 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 75# | 70 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 80# | 75 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 85# | 80 menit | 3-6 | 3,5maks | |
| 90# | 85 menit | 2,5maks | 3,5maks | |
| 95# | 90 menit | 1.0maks | 1,2maks | |
| 97# | 95 menit | 0.6maks | 1,2maks | |
Dalam beberapa tahun terakhir, teknologi manufaktur SiC telah maju dengan diperkenalkannya metode pertumbuhan kristal SiC baru seperti proses PVT (transportasi uap fisik) dan HTCVD (deposisi uap kimia termal dinding panas). Proses ini memungkinkan produksi kristal SiC yang lebih besar dan seragam dengan cacat yang lebih sedikit dibandingkan dengan proses Acheson.
Industri manufaktur SiC terus berkembang karena meningkatnya permintaan perangkat elektronik yang membutuhkan daya tinggi, suhu tinggi, dan kinerja frekuensi tinggi. Penggunaan komponen SiC dapat memenuhi kebutuhan ini dengan mengurangi kehilangan daya, meningkatkan efisiensi, dan mengurangi ukuran dan berat.
Kesimpulannya, teknologi manufaktur SiC merupakan komponen penting dalam industri elektronik. Dengan kemajuan dalam metode pertumbuhan kristal SiC, produksi komponen SiC diperkirakan akan terus meningkat di tahun-tahun mendatang. Hal ini akan menghasilkan perangkat elektronik yang lebih efisien dan lebih cocok untuk lingkungan berdaya tinggi dan bersuhu tinggi.
Pertanyaan Umum
T: Bagaimana Anda mengontrol kualitas produk?
A: Kami memiliki laboratorium sendiri dengan perangkat pengujian lanjutan. Produk akan diperiksa secara ketat sebelum pengiriman, untuk menjamin bahwa barang tersebut memenuhi syarat.
Q: Apakah Anda memproduksi ukuran khusus?
A: Ya, kami dapat membuat suku cadang sesuai kebutuhan Anda.
Q: Apakah Anda memiliki stok dan berapa waktu pengirimannya?
A: Kami memiliki stok tempat jangka panjang untuk memenuhi kebutuhan pelanggan. Kami dapat mengirimkan barang dalam 7 hari dan produk yang disesuaikan dapat dikirim dalam 15 hari.
T: Apa MOQ pesanan percobaan?
A: Tidak ada batasan, Kami dapat menawarkan saran dan solusi terbaik sesuai dengan kondisi Anda.
Kirim permintaan
Anda Mungkin Juga Menyukai
