Manufaktur Silikon Karbida
Bentuk:Bentuk Benjolan/Bubuk
Bubuk Silikon Karbida Untuk Tahan Api
Deskripsi
Keterangan
Silicon Carbide, atau SiC, telah muncul sebagai material penting dalam pengembangan teknologi generasi mendatang karena sifat uniknya berupa konduktivitas termal yang tinggi, ketahanan guncangan termal yang tinggi, dan sifat listrik yang unggul.
SiC banyak digunakan di berbagai industri seperti elektronika daya, otomotif, dirgantara, dan pertahanan karena kemampuannya untuk beroperasi pada suhu dan tegangan yang lebih tinggi dibandingkan material tradisional.
Di masa lalu, SiC hanya tersedia dalam jumlah kecil dan sulit diproduksi karena diperlukan suhu dan tekanan yang tinggi. Namun, dengan kemajuan teknologi terkini, manufaktur SiC menjadi lebih efisien dan hemat biaya.
Spesifikasi
| Pola | Persentase komponen | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 70# | 65 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 75# | 70 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 80# | 75 menit | 15-20 | 8-12 | 3,5maks |
| 85# | 80 menit | 3-6 | 3,5maks | |
| 90# | 85 menit | 2,5maks | 3,5maks | |
| 95# | 90 menit | 1.0maks | 1,2maks | |
| 97# | 95 menit | 0.6maks | 1,2maks | |
Produksi SiC melibatkan dua proses utama: deposisi uap kimia dan sintering. Deposisi uap kimia melibatkan pertumbuhan lapisan SiC pada substrat pada suhu tinggi dan tekanan rendah. Sintering, di sisi lain, melibatkan konsolidasi bubuk SiC melalui panas dan tekanan untuk membentuk bahan SiC padat.
Ada berbagai jenis teknik pembuatan SiC yang tersedia, termasuk proses sublimasi, metode Lely yang dimodifikasi, dan metode pertumbuhan PVT. Masing-masing metode ini memiliki kelebihan dan kekurangannya masing-masing, dan pilihan metode bergantung pada aplikasi dan kebutuhan spesifik.
Proses sublimasi melibatkan pemanasan bubuk SiC dalam wadah grafit pada suhu tinggi, menyebabkan bubuk tersebut menyublim dan mengendap ke substrat. Metode ini cocok untuk memproduksi kristal SiC dengan kemurnian tinggi dan berkualitas tinggi.
Metode Lely yang dimodifikasi melibatkan pemanasan campuran bubuk SiC dan grafit dalam wadah, menyebabkan SiC mengendap ke dalam kristal benih. Metode ini ideal untuk memproduksi wafer SiC kristal tunggal untuk aplikasi elektronik.
Metode pertumbuhan PVT melibatkan pertumbuhan kristal SiC dari kristal benih di bawah suhu dan tekanan tinggi. Metode ini lebih disukai untuk memproduksi kristal SiC berukuran besar dan berkualitas tinggi untuk aplikasi elektronika daya.
Kesimpulannya, manufaktur SiC memainkan peran penting dalam pengembangan teknologi generasi mendatang. Dengan kemajuan teknik manufaktur, produksi SiC menjadi lebih hemat biaya dan efisien. Pilihan metode manufaktur bergantung pada aplikasi dan persyaratan spesifik, dan SiC berpotensi merevolusi berbagai industri karena sifatnya yang unik.
Pertanyaan Umum
T: Apakah Anda pabrik atau perusahaan dagang?
A: Kami adalah produsen.
Q: Berapa lama waktu pengiriman Anda?
A: Waktu pengiriman tergantung pada jumlah pembelian dan musim produksi Anda.
T: Apa cara pengiriman Anda?
A: Pengiriman ekspres, pengiriman laut tersedia untuk permintaan Anda.
Tag populer: manufaktur silikon karbida
Kirim permintaan
Anda Mungkin Juga Menyukai
